| 发明名称 | 膜处理方法和膜处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种膜处理方法，其特征在于，包括：将电子束发射到被处理体的膜上以处理所述膜的处理工序；在上述处理工序中，在上述被处理体的附近捕捉电子束以作为电流值进行测量的电流测量工序；根据按时间对上述电流值积分得到的电子量检测出膜处理的终点的检测工序。根据本发明，可实现不会过多或不充分地对被处理体的膜发射电子束，从而可得到适当的膜质。 | ||
| 申请公布号 | CN100511619C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200310121199.5 | 申请日期 | 2003.12.22 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大西正;滨学 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种膜处理方法，其特征在于，包括：处理工序，将电子束发射到被处理表面的膜上，以处理所述膜；电流测量工序，在所述处理工序中，在所述被处理体的附近捕捉电子束而作为电流值进行测量；检测工序，根据按时间对所述电流值积分所得的电子量检测出膜处理的终点。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||