| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种能够防止对沟槽中热氧化层的损伤的半导体器件及其制造方法。该器件包括：在半导体衬底的场区中的沟槽；在沟槽外部的半导体衬底的表面上的衬垫氧化层；在沟槽的侧壁上的热氧化层；覆盖热氧化层的氮化层；填充沟槽的绝缘层；以及覆盖沟槽外部的热氧化层的隔离件。 | ||
| 申请公布号 | CN101471342A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810211510.8 | 申请日期 | 2008.09.10 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金大均 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：沟槽，在半导体衬底的隔离区中，所述沟槽具有预定的深度；衬垫氧化层，在所述沟槽外部的所述半导体衬底上；热氧化层，在所述沟槽的内侧壁上；氮化层，在所述沟槽内覆盖所述热氧化层；隔离层，填充所述沟槽；以及隔离件，覆盖所述热氧化层的最上表面。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||