记忆体编程方法以及资料存取方法

摘要

一种记忆体编程方法，适用于具有复数多位准记忆体单元的反及快闪记忆体。记忆体编程方法包括：执行第一编程操作以将多位准记忆体单元从初始状态编程至第一目标状态；设定旗标位元为第一状态以指示对应之多位准记忆体单元已执行第一编程操作；执行第二编程操作以将多位准记忆体单元从第一目标状态编程至第二目标状态；以及设定旗标位元为第二状态以指示对应之多位准记忆体单元已执行第二编程操作。第一目标状态系对应于第一储存资料并且具有第一临界电压范围，而第二目标状态系对应于第一储存资料并且具有第二临界电压范围。