| 发明名称 | 硒化铟铜基光伏器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及硒化铟铜基光伏器件及其制造方法。硒化铟铜(CIS)基光伏器件包括含有铜、铟和硒的CIS基太阳能吸收层。CIS基光伏器件进一步包括由硅氧烷组合物形成的衬底。由于衬底由硅氧烷组合物形成，所以其既是挠性的，又足以抵抗超过500℃的退火温度，以获得器件的最大效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101473448A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200780022480.X | 申请日期 | 2007.04.18 |
| 申请人 | 道康宁公司;ITN能量系统公司 | 发明人 | N·R·安德森;D·E·卡佐里斯;H·H·里斯;B·朱;L·M·伍兹;J·H·阿姆斯特龙戈;R·M·里贝林 |
| 分类号 | H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/072(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民;陈建芳 |
| 主权项 | 1. 硒化铟铜(CIS)基光伏器件(104)，其包括：CIS基太阳能吸收层(506)，其包含铜、铟和硒；和衬底(106)，其由硅氧烷组合物形成。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||