| 发明名称 | 一种双交换偏置场型自旋阀 | ||
| 摘要 | 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁记录技术，具体涉及一种交换偏置场型自旋阀。本发明提供的一种双交换偏置场型自旋阀，其中双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；反铁磁AFM1/铁磁层F1之间产生一沿膜面的交换偏置场H<sub>ex1</sub>；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间也产生一沿膜面的交换偏置场H<sub>ex2</sub>；但交换偏置场H<sub>ex1</sub>、H<sub>ex2</sub>的方向正好相反。本发明利用双交换偏置场，可在室温下扩展自旋阀的交换偏置场区域，拓宽自旋阀的高电阻区域，从而有利于提高交换偏置场型自旋阀在信息存储或其他应用中的稳定性。且本发明提供的双交换偏置场型自旋阀，可在室温下制备，无需高温退伙处理，具有良好的膜层稳定性和巨磁电阻性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101471420A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200810045689.4 | 申请日期 | 2008.07.30 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 唐晓莉;张怀武;苏桦;钟智勇;荆玉兰 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种双交换偏置场型自旋阀，包括双交换偏置场型自旋阀结构，其特征在于，所述双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；其中，反铁磁AFM1/铁磁层F1之间由于铁磁层同反铁磁层的交换耦合作用，产生一沿膜面的交换偏置场Hex1；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间由于铁磁层同反铁磁层的交换耦合作用，也产生一沿膜面的交换偏置场Hex2；但交换偏置场Hex1、Hex2的方向正好相反。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 | ||