半导体加工系统的清洁

摘要

本文披露了一种用于从微电子器件制造中使用的半导体加工系统的组件上清洁残余物的方法及设备。为有效去除残余物，将这些组件与气相反应性材料在充分条件下接触足够的时间，至少部分地去除该残余物。当该残余物和构成这些组件的材料不相同时，该气相反应性材料选择性地与该残余物反应，并与构成该离子注入机的这些组件的材料是最小反应性的。当该残余物和构成这些组件的材料相同时，则该气相反应性材料可与该残余物和该组件部分两者反应。使用的特别优选的气相反应性材料包括气态化合物，例如XeF₂、XeF₄、XeF₆、NF₃、IF₅、IF₇、SF₆、C₂F₆、F₂、CF₄、KrF₂、Cl₂、HCl、ClF₃、ClO₂、N₂F₄、N₂F₂、N₃F、NFH₂、NH₂F、HOBr、Br₂、C₃F₈、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、COF₂、HF、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₂H₅F、C₃F₆，以及有机氯化物，例如COCl₂、CCl₄、CHCl₃、CH₂Cl₂和CH₃Cl。

主权项

1. 一种清洁半导体加工系统的至少一个组件的方法，所述方法包括：(a)将来自清洁组合物源容器的气相反应材料引入到包括至少一个待清洁组件的所述系统的至少一个部分中；(b)在所述系统的所述至少一个部分中达到预定特性后，终止将所述气相反应性材料引入至所述系统的所述至少一个部分中；以及(c)在所述系统的所述至少一个部分中，使所述气相反应性材料与残余物反应足够的时间，以从所述待清洁的至少一个组件至少部分地去除所述残余物；其中，所述气相反应性材料在所述至少一个组件上与所述残余物选择性地进行反应。