| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体芯片(100)包括逻辑单元和模拟单元(153)。而且，该半导体芯片(100)包括硅衬底(101)；在硅衬底(101)上形成的第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)；以及由在第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)中掩埋的第一导电环(125)至第六导电环(145)构成的环形密封环(105)，环形密封环(105)包围逻辑单元和模拟单元(153)的周边。在密封环区(106)中，形成用作非导电部件(104)的pn结，其阻挡从逻辑单元通过密封环(105)到模拟单元(153)的路径中的导电。 | ||
| 申请公布号 | CN100508171C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200510125334.2 | 申请日期 | 2005.11.16 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中柴康隆 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1. 一种具有第一和第二器件区的半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的绝缘中间层，以及由所述绝缘中间层中掩埋的导电膜构成并包围所述第一器件区的周边的环形保护环，其中在保护环形成区中形成非导电部件，非导电部件阻挡从所述第一器件区通过所述保护环至所述第二器件区的路径中的导电；在所述半导体衬底的表面附近形成具有与所述半导体衬底的导电类型相同的导电类型的第一扩散层；与所述第一扩散层的底表面相接触地形成具有与所述半导体衬底的导电类型相反的导电类型的第二扩散层；所述第一扩散层的横向周边被绝缘；所述保护环连接到所述第一扩散层的表面；以及所述第一扩散层的所述底表面和所述第二扩散层的底表面构成所述非导电部件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||