发明名称 |
一种检测无水肼的LB膜气体传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种检测无水肼的LB膜气体传感器,属于制造领域,包括敏感薄膜、基片、微电极、电源、电流表;通过掩膜方法在玻璃基底上刻蚀出微电极Al电极,利用单分子层转移膜的方法将敏感薄膜覆盖在微电极Al电极上,同时也与玻璃基底有接触,电源、电流表和微电极成串联关系。其中,敏感薄膜采用二硫杂环戊二烯络合物LB膜;基片采用表面的光洁程度玻璃或者石英玻璃;微电极采用厚度250-350nm、50微米的微电极宽度、欧姆接触电阻最小金属Al;电源:输出为0~200V;电流表:灵敏度为10<sup>-10</sup>A。本发明的有益效果为:检测的灵敏度要高,对肼浓度的检测限应达到0.05ppm即50ppb。肼气体传感器体积小、重量轻,特别是使用其敏感薄膜选择性强、灵敏度高的特点,补偿了平面叉指微电极传感器输出信号较弱的缺点。 |
申请公布号 |
CN101470092A |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200710304642.0 |
申请日期 |
2007.12.28 |
申请人 |
中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 |
发明人 |
郭云;杨德全;张剑锋;王润福;熊玉卿;孙岩 |
分类号 |
G01N27/30(2006.01)I;G01N27/407(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京理工大学专利中心 |
代理人 |
张利萍 |
主权项 |
1、一种用于无水肼探测的二硫杂化环戊二烯络合物LB膜,包括敏感薄膜、基片、微电极、电源、电流表;其特征在于连接关系为:通过掩膜方法在玻璃基底3上刻蚀出微电极Al电极1,利用单分子层转移膜的方法将敏感薄膜2覆盖在微电极Al电极1上,同时也与玻璃基底有接触,电源、电流表和微电极1成串联关系。 |
地址 |
730000甘肃省兰州市城关区渭源路97号 |