用于实现纳米器件的接纳结构的方法

摘要

一种用于实现纳米器件的接纳结构(A，B)的方法，所述方法包含以下步骤。在第一材料的基片(10)的上表面(12)上沉积具有至少一个侧壁(18)的块种晶(15)。在所述表面(12)的至少一个部分上和块种晶(15)上沉积第二材料的预定厚度的第一层(20)，随后选择性地和各向异性地蚀刻它，以实现和侧壁(18)相邻的间隔物种晶(22)。然后所述方法重复步骤n次，n＞＝2，所述步骤包含在基片(10)上沉积预定材料的层(20，30)，随后是该层的选择性的和各向异性的蚀刻，以实现至少一个相关的间隔物(25，35)。该预定的材料对每对连续的沉积是不同的。上述n个步骤规定了至少一个多层体(50，150，250)。然后所述方法提供以下的步骤：选择性地蚀刻多层体(50，150，250)，以去除一部分间隔物，以实现至少一组多个纳米接纳座(40)，剩余的一部分间隔物实现了用于所述接纳座(40)中接纳的多个分子晶体管的接触终端。

主权项

1. 用于实现纳米器件的接纳结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一材料的绝缘基片(10)的上表面(12)上沉积具有垂直于所述上表面(12)的至少一个侧壁(18)的块种晶(15)；其特征在于所述方法进一步包括以下步骤：在所述表面(12)和所述块种晶(15)的至少一个部分上沉积第二材料的预定厚度的第一层(20)，所述第一层(20)具有覆盖所述至少一个侧壁(18)的至少一部分的部分；各向异性地蚀刻所述第一层(20)，使所述第一层(20)除了覆盖所述至少一个侧壁(18)的所述至少一部分的所述部分之外被去除，以获得和所述块种晶(15)的所述侧壁(18)的所述至少一个部分相邻的至少一个间隔物种晶(22)；重复下述步骤n次，n>＝2，该步骤包含：在所述基片(10)的至少一个部分上沉积预定材料的预定厚度的层(20，30)，使得所述层(20，30)适于基础拓扑，随后是所述层(20，30)的各向异性蚀刻，使所述层(20，30)除了覆盖所述基础拓扑的至少一个侧壁的至少一部分的部分之外被去除，以实现至少一个相关的间隔物(25，35)，所述预定材料对每对连续的沉积是不同的，所述n个步骤规定了至少一个多层体(50，150，250)，其包含由至少两种不同材料制成的n个间隔物(25，35)和所述至少一个间隔物种晶(22)；选择性地蚀刻所述多层体(50，150，250)，以去除一部分所述间隔物(25，35)，用于实现至少一组多个纳米接纳座(40)；这样实现的所述结构(A，B)适合于在所述至少一组多个接纳座(40)中接纳多个纳米器件，剩余的一部分所述间隔物(25)实现用于所述多个纳米器件的接触终端。