半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，所述的半导体装置包括一受保护元件，位于一基板的一受保护元件区中；一静电放电功率钳制元件，位于上述基板的一防护环区中，且包围上述受保护元件，上述静电放电功率钳制元件包括一第一防护环和一第二防护环，上述第一防护环包括一第一井区，其具有上述第一导电类型；一第一掺杂区和一第二掺杂区，位于上述第一井区中，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区分别具有上述第一导电类型和一第二导电类型；上述第二防护环包括一第二井区，其具有上述第二导电类型；一第三掺杂区，位于上述第二井区中，其具有上述第二导电类型。本发明可增加防护环隔离噪声的效能，不需额外的空间置放ESD电源钳制元件，可大为节省芯片面积。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：一基板，所述的基板具有一受保护元件区、一防护环区和一外部元件区，所述的基板具有一第一导电类型；一受保护元件，所述的受保护元件位于所述的受保护元件区中；一静电放电功率钳制元件，所述的静电放电功率钳制元件位于所述的防护环区中，且包围所述的受保护元件，所述的静电放电功率钳制元件包括外部的一第一防护环和内部的一第二防护环，其中所述的第一防护环包括：一第一井区，所述的第一井区具有所述的第一导电类型；以及一第一掺杂区和一第二掺杂区，所述的第一掺杂区和第二掺杂区位于所述的第一井区中，且邻近于所述的基板的表面，其中所述的第一掺杂区和所述的第二掺杂区分别具有所述的第一导电类型和一第二导电类型；所述的第二防护环包括：一第二井区，所述的第二井区具有所述的第二导电类型；以及一第三掺杂区，所述的第三掺杂区位于所述的第二井区中，且邻近于所述的基板的表面，其中所述的第三掺杂区具有所述的第二导电类型；以及一输入/输出元件，位于所述的外部元件区中，且耦接于所述的静电放电功率钳制元件。