用于小线宽和下降的线宽的JFET的可扩展工艺和结构

摘要

一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型JFET的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层，并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔，并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质，并且所述杂质被置入到半导体衬底之下，从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。

主权项

1、一种用于形成结型场效应晶体管的方法，包括在半导体衬底上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层的表面上形成氮化物层；在所述绝缘材料层和所述氮化物层中蚀刻孔从而限定用于源极、漏极和栅极的区域；沉积未掺杂的多晶硅以填充所述孔；和抛光所述多晶硅，使得其与所述氮化物层的表面大致平齐。