| 发明名称 | 一种ZnSe红外增透膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种红外增透膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。以3～12μm为中心波长λ<sub>0</sub>，在ZnSe基体(1)上顺次制备高折射率(2)和低折射率(3)的λ<sub>0</sub>/4～λ<sub>0</sub>/4双层增透膜系。高折射率薄膜(2)的折射率为3.0～4.0，光学厚度为1～3μm，低折射率薄膜(3)的折射率为2.1～2.6，光学厚度为0.75～3μm。制备方法是采用中频和直流的双靶磁控溅射法，以Ge和C为靶源，CH<sub>4</sub>和Ar的混合气体作为辅助放电气体，在ZnSe基体单面或双面上沉积Ge<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>增透膜。通过控制Ge和C靶的溅射电流大小比例，以及控制CH<sub>4</sub>/Ar的分压比，制备出折射率不同的两层Ge<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>薄膜，通过控制时间等参数使每层薄膜的厚度达到λ<sub>0</sub>/4。本发明方法参数牵制性小、控制简单、增透效果优良。 | ||
| 申请公布号 | CN101464530A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810045242.7 | 申请日期 | 2008.01.23 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 黄宁康;展长勇;汪德志 |
| 分类号 | G02B1/11(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | G02B1/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1. 一种ZnSe红外增透膜，以12μm为中心波长，在ZnSe基体(1)上制作增透膜，其特征是：在ZnSe基体(1)上顺次有高折射率(2)和低折射率(3)的薄膜；所说的高折射率薄膜(2)的折射率为3.0～4.0，光学厚度为3μm左右；所说的低折射率薄膜(3)的折射率为2.1～2.6，光学厚度为3μm左右。 | ||
| 地址 | 610064四川省成都市一环路南一段24号 | ||