一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法

摘要

一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层。制备方法为：沉积栅极金属；在栅电极之上采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层；在沉积有绝缘层的衬底上，沉积一层修饰半导体层，然后采用有机物成膜方法得到主体有机半导体层，最后沉积源、漏电极得成品。本发明提供的器件结构可以实现有机场效应晶体管在较低的电压下饱和，通过低电压饱和降低有机场效应晶体管的操作电压。

主权项

1、一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层；其中：衬底，在衬底上嵌入电极引线；栅电极，该栅电极制作在衬底的一面，即在衬底上沉积和图案化栅电极，栅电极与电极引线导通；绝缘层，该绝缘层制作在栅电极的另一面；修饰半导体层，该修饰半导体层制作在绝缘层的另一面；主体半导体层，该主体半导体层制作在修饰半导体层的另一面；漏电极和源电极，漏电极和源电极制作在主体半导体层的另一面；所述漏电极和源电极金属层的厚度为30纳米～300纳米；所述有机半导体沟道长度为0.2微米～150微米。