| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置的制造方法，包括下述步骤：在具有基底基板(12)和在基底基板(12)上形成的布线(14)的布线基板(10)上，搭载具有电极(25)的半导体芯片(20)，使布线(14)与电极(25)接触，进一步通过对它们进行加热或加压，形成共晶合金(30)。在此，按照共晶合金(30)的一部分进入到布线(14)与基底基板(12)之间的方式形成共晶合金(30)。从而，本发明能提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100499054C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610091238.5 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 漆户达大 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，其中，包括下述步骤：在具有基底基板和在所述基底基板上形成的布线的布线基板上，搭载具有电极的半导体芯片，使所述布线与所述电极接触，并对所述布线与所述电极进行加压，形成共晶合金，通过所述加压，从所述基底基板剥离所述布线的一部分，形成剥离部，按照所述共晶合金的一部分进入到所述布线的所述剥离部与所述基底基板之间的方式，形成所述共晶合金。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||