场效应晶体管

摘要

一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式Al_xGa_1-xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式Al_xGa_1-xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式Al_xGa_1-xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。

主权项

1. 一种场效应晶体管，其通过晶体生长形成多个含有III族元素氮化物基半导体的半导体结晶层来制备，该场效应晶体管包括：具有沟道的沟道层；位于沟道层上的载流子供应层，其含有由式AlxGa1-xN代表的半导体；和形成在所述载流子供应层上的源电极、栅电极和漏电极，其中沟道在沟道层和载流子供应层之间的第一界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，并且式AlxGa1-xN中的x随着与所述第一界面的距离增加而逐步或连续单调减小，所述载流子供应层在所述第一界面处具有第一组成比x1，并且式AIx1Ga1-x1N中的x1大于或等于0.15且小于或等于0.40，所述载流子供应层具有位于所述第一界面相对侧上的第二界面，并且在所述第二界面处具有第二组成比x2，并且式Alx2Ga1-x2N中的x2大于或等于0.05且小于或等于0.20。