Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe, umfassend: a) Halbleiterscheibe wird in Rotation versetzt; b) Reinigungsflüssigkeit, die Gasblasen mit einem Durchmesser von 100 µm oder kleiner beinhaltet, wird auf die rotierende Halbleiterscheibe aufgebracht, so dass sich ein Flüssigkeitsfilm auf der Halbleiterscheibe bildet; c) die rotierende Halbleiterscheibe wird einer Gasatmosphäre mit einem Reaktivgas ausgesetzt; d) Entfernen des Flüssigkeitsfilms.