发明名称 | 具有可变漏电压的非易失性存储器 | ||
摘要 | 非易失性存储器装置根据擦除循环计数值来在编程期间增加浮栅晶体管上的漏电压。当擦除存储器块时,增加该块的擦除循环计数值。当对存储器块编程时,在编程期间使用该块的擦除循环计数值来确定将要在浮栅晶体管上使用的漏电压。 | ||
申请公布号 | CN101454893A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
申请号 | CN200780019680.X | 申请日期 | 2007.06.28 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | T·塔纳蒂;R·梅尔彻;S·钱德拉蒙里;J·贾汉夏尔 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 钟胜光 |
主权项 | 1、一种集成电路,其包括:浮栅晶体管单元;用以记录擦除循环次数的机构;以及可变电压源,耦合所述可变电压源来向所述浮栅晶体管单元提供漏电压,并且耦合所述可变电压源来对所述机构记录所述擦除循环次数做出响应。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |