用于硅外延层生长的有源气体流量控制装置

摘要

本发明公开了一种用于硅外延层生长的有源气体流量控制装置，包括一个三通阀，所述三通阀与多个有源气体质量流量计连接的气体管路，所述三通阀与外延生长室之间连接的气体管路，所述三通阀与真空泵之间连接的排气旁路；在所述排气旁路中设置有自动压力控制装置，所述自动压力控制装置由微处理器控制，根据外延工艺的生长压力，调节有源气体质量流量计与三通阀之间的管路中的气压。本发明可以有效控制有源气体质量流量计到三通阀之间的压力，稳定外延生长初始阶段的生长速率，提高外延层的厚度可控性。

主权项

1、一种用于硅外延层生长的有源气体流量控制装置，包括一个三通阀，所述三通阀与多个有源气体质量流量计连接的气体管路，所述三通阀与外延生长室之间连接的气体管路，所述三通阀与真空泵之间连接的排气旁路；其特征在于，在所述排气旁路中设置有自动压力控制装置，所述自动压力控制装置由微处理器控制，根据外延工艺的生长压力，调节有源气体质量流量计与三通阀之间的管路中的气压。