半导体结构

摘要

一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的底部大体上低于第一高压阱区的底部；绝缘区，位于第一高压阱区的一部分，并从第一高压阱区的顶层延伸至第一高压阱区内；栅极介电质，从第一高压阱区的上方延伸至第二高压阱区的上方，其中部分栅极介电质位于绝缘区的上方；以及栅极电极，位于栅极介电质的上方。本发明可改善高压N型金属氧化物半导体元件的可靠度，并明显减少扩散至高压N型阱区的P型杂质原子。

主权项

1. 一种半导体结构，包括：衬底；第一高压阱区，具有第一导电类型，位于上述衬底的上方；第二高压阱区，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型，位于上述衬底的上方并侧向相邻于上述第一高压阱区；第三高压阱区，具有上述第一导电类型，位于上述第二高压阱区的下方，其中位于上述第一高压阱区下方的区域远离上述第三高压阱区，且上述第三高压阱区的底部低于上述第一高压阱区的底部；绝缘区，位于上述第一高压阱区的一部分，并从上述第一高压阱区的顶层延伸至上述第一高压阱区内；栅极介电质，从上述第一高压阱区的上方延伸至上述第二高压阱区的上方，其中一部分的上述栅极介电质位于上述绝缘区的上方；以及栅极电极，位于上述栅极介电质的上方。