| 发明名称 | 硅片上的曝光对准标记 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片上的曝光对准标记，用于曝光前的搜索对准步骤中，包括线状突起或沟槽，其明显特征是垂直于硅片切割道方向放置。本发明的对准标记一方面标记线之间的间距可以设置比较大，另一方面标记线在长度方向上可以一直延伸到切割道的边缘，有效地减少了当硅片切割道缩小时硅片曝光对准中发生错误的几率。 | ||
| 申请公布号 | CN101446766A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200710094287.9 | 申请日期 | 2007.11.27 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种硅片上的曝光对准标记，用于曝光前的搜索对准步骤中，所述曝光对准标记包括线状突起或沟槽，其特征在于：所述线状突起或沟槽垂直于切割道排列。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||