发明名称 具有可调节输入/输出带宽的半导体存储器件
摘要 具有可调I/O带宽的半导体存储器件,包括:逐一连接到多个I/O端口的多个数据I/O缓冲器;开关阵列,有多个开关,连接多个数据I/O缓冲器到多个读出放大器;和开关控制单元,用于接收外部控制信号,以控制数据I/O缓冲器和多个开关。
申请公布号 CN100495708C 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN03155019.3 申请日期 2003.07.31
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 姜熙福
分类号 H01L27/10(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I 主分类号 H01L27/10(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 邸万奎;黄小临
主权项 1. 一种存储器件,包括:多个数据I/O缓冲器,逐一连接到多个I/O端口;开关阵列,包括:多个第一开关,用于连接数据I/O缓冲器的下字节区到读出放大器阵列的下字节区;多个第二开关,用于连接数据I/O缓冲器的下字节区到该读出放大器阵列的上字节区;和多个第三开关,用于连接数据I/O缓冲器的上字节区到该读出放大器阵列的上字节区;和开关控制器,用于接收外部控制信号,以控制每个数据I/O缓冲器的生效,和多个开关的开/关操作,其中,当使包括在该外部控制信号中的下信号生效时,该开关控制器导通第一开关,并使连接到I/O端口的数据I/O缓冲器的下字节区生效,并且当使包括在该外部控制信号中的上字节信号生效时,该开关控制器导通第三开关,并使连接到I/O端口的数据I/O缓冲器的上字节区生效。
地址 韩国京畿道