| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，防止了光电二极管的N型区与器件绝缘膜邻接，并减小了暗电流。CMOS图像传感器包括：层间介电膜，形成于栅极多晶硅和电源线之间；接触件，形成于层间介电膜中；以及外延层，与接触件连接并仅形成于蓝色光电二极管区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN100495714C | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200510135146.8 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚 |
| 主权项 | 1. 一种CMOS图像传感器，包括：层间介电膜，形成于栅极多晶硅和电源线之间；接触件，形成在所述层间介电膜中；以及外延层，与所述接触件连接，并仅形成于蓝色光电二极管区域中，所述外延层用作所述蓝色光电二极管的感光区域。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||