| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，其中多个线和通孔电连接的结构可以包括：可以与存储单元的单元区电连接的第一线，以及在第一线的上侧上和/或上方的第一通孔、第二线、第二通孔、第三线、第三通孔以及第四线。根据本发明实施例，布置在单元区的上侧上的第四线可以以基本上成直线的形式相互平行地形成。根据本发明实施例，可以形成且布置第四线以防止置于双端口SRAM的单元区中的位线相互形成电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101447488A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810178476.9 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金廷奎 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种器件，包括：多个第一线，电连接在存储单元的单元区中；以及第一通孔、第二线、第二通孔、第三线、第三通孔以及至少两个第四线，顺序地堆叠在所述多个第一线中的至少一个上方，其中，所述至少两个第四线形成在所述单元区的上部，并且所述至少两个第四线以基本上成直线的形式形成且相互平行。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||