| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法，提供一种半导体层的晶体质量良好、且光的提取效率高的倒装芯片构造的半导体发光元件及其容易且低成本的制造方法。半导体发光元件包括：包含发光层(12)的半导体层(1)；形成在半导体层(1)的光取出面的折射率倾斜层(2)；以及通过接合层(4)贴合在折射率倾斜层(2)的外表面的支持基板(3)。折射率倾斜层(2)的折射率构成为在半导体层侧与半导体层(1)的折射率大体相等，在支持基板侧与支持基板(3)的折射率大体相等，关于膜厚方向相同或者多阶段地变化。折射率倾斜层(2)通过气相镀法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101449399A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200780018652.6 | 申请日期 | 2007.05.22 |
| 申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 相原正巳 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光元件，其特征在于，包括：包含发光层的半导体层，形成在该半导体层的光取出面上的折射率倾斜层，以及通过接合层贴合在该折射率倾斜层的外表面的支持基板；所述支持基板以及所述接合层对于从所述半导体层射出的光透明；所述支持基板的折射率与所述接合层的折射率大体相等、且比所述半导体层的折射率小；所述折射率倾斜层的折射率，以在所述半导体层侧与所述半导体层的折射率大体相等、在所述支持基板侧与所述支持基板的折射率大体相等的方式，关于膜厚方向相同或者多阶段地变化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||