| 发明名称 | 半导体发光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够减小激光器的起偏振角的半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN衬底(12)的厚度H和宽度W所能得到的数值∑的最大值的70％。 | ||
| 申请公布号 | CN101447640A | 申请公布日期 | 2009.06.03 |
| 申请号 | CN200810165771.0 | 申请日期 | 2008.09.23 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山口勉;田代贺久;森健三;坂本博夫;西田武弘 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘 杰;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体发光装置，将半导体激光芯片以结向下方式接合到衬底上，并将该衬底接合到封装上而形成，其特征在于，与上述半导体激光芯片的激光照射方向垂直的方向是上述衬底的宽度方向；上述衬底的厚度和宽度被设定为：使得上述半导体激光芯片与上述衬底相接合的面的中心部所受到的等效应力与上述衬底的宽度方向的应力相乘后所得的数值不会超过通过改变上述衬底的厚度和宽度所能得到的上述数值的最大值的70％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||