| 发明名称 | SOI晶片的评价方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片(至少在绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层)的上述埋入扩散层的薄片电阻的方法，具备：测定步骤，此测定步骤是测定上述SOI层整体或是上述SOI晶片整体的薄片电阻；及估计步骤，此估计步骤是根据将上述薄片电阻测定的测定结果当作是构成上述SOI晶片的各层各自并列连接而成的电阻，并进行换算来估计上述埋入扩散层的薄片电阻。借此，能够提供一种SOI晶片的评价方法，不必制造监控晶片而能够直接测定成为制品的SOI晶片来评价埋入扩散层的薄片电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN101443913A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200780017175.1 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 吉田和彦 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨;张浴月 |
| 主权项 | 1. 一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片的埋入扩散层的薄片电阻的方法，该SOI晶片至少在其绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层，该评价方法的特征是具备：测定步骤，此测定步骤是测定上述SOI层整体或是上述SOI晶片整体的薄片电阻；及估计步骤，此估计步骤是根据将该薄片电阻测定的测定结果当作是构成上述SOI晶片的各层各自并列连接而成的电阻，并进行换算来估计上述埋入扩散层的薄片电阻。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||