| 发明名称 | 用于处理至少一个基底的表面的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种用于处理至少一个基底的表面的方法，其中该至少一个基底放置在处理室中，该处理室中的压力相对较低，并且由至少一个等离子体射源产生等离子体，在处理期间，至少一个等离子体射源(3)和/或至少一个可选设置的处理流体供给源相对于基底表面是运动的。本发明还提供一种用于处理至少一个基底的表面的设备，其中该设备设置有处理室和至少一个等离子体射源，该至少一个等离子体射源(3)和/或至少一个可选设置的处理流体供给源以可移动方式设置。 | ||
| 申请公布号 | CN100489155C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200380108659.9 | 申请日期 | 2003.12.12 |
| 申请人 | OTB集团有限公司 | 发明人 | 弗朗西斯库斯·科尔内留斯·丁斯;马里纳斯·弗朗西斯库斯·乔哈努斯·埃弗斯;迈克尔·阿德里亚努斯·特奥多鲁斯·霍普斯;马丁·第纳特·拜克 |
| 分类号 | C23C16/50(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨本良;顾红霞 |
| 主权项 | 1. 一种用于处理至少一个基底的表面的方法，其中该至少一个基底放置在处理室中，由至少一个等离子体射源产生等离子体，该至少一个等离子体射源为级联射源(3)，该级联射源(3)的至少一个阴极(4)设置在前室(6)中，在使用期间，与处理室(1)中主导的相对较低压力(P1)相比，在前室(6)中由相对较高压力(P2)主导，前室(6)通过由相互间电绝缘的级联板(8)界定的相对较窄通道(7)通向处理室(1)，从而在使用期间，等离子体经过该相对较窄通道(7)延伸进入处理室(1)中，其特征在于，在处理期间，至少一个等离子体射源(3)和/或至少一个可选设置的处理流体供给源相对于基底表面是运动的。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||