通过CZ法生产Si单晶锭料的方法

摘要

通过明确地检测出以特定拉晶速度曲线生长出的Si单晶的缺陷区域或无缺陷区域的类型，并将数据反馈至后续拉晶，从而使没有缺陷区域的Si单晶稳定地生长。在通过CZ法生产Si单晶锭料中，通过原子空位的直接观察法来检测在先生长出的Si单晶的截面中原子空位的浓度分布，随后将该浓度分布反馈至后续拉晶处理以调整后续拉晶的拉晶速度曲线。

主权项

1. 一种通过CZ法生产Si单晶锭料的方法，其包括通过原子空位的直接观察法检测晶片径向的原子空位的浓度分布，其中所述晶片是从以在先拉晶处理生长出的Si单晶锭料的多个晶体位置切割出来的，并将所产生的数据反馈至后续拉晶处理以在后续拉晶中调整拉晶速度曲线。