| 摘要 |
本发明揭示一种具有三位准非挥发性记忆体单元之非挥发性记忆体器件之装置及操作方法，其用以将一个以上资料位元储存于一非挥发性记忆体单元中。另外，可经由一写入验证操作而选择性地写入该资料，藉此改良写入操作可靠性。该操作方法包括提供一具有第一至第三非挥发性记忆体单元之记忆体单元阵列，其中每一记忆体单元能够储存分别对应于第一至第三电阻位准之第一资料至第三资料中之一者。该等电阻位准中之每一者彼此不同。在一写入操作之一第一间隔期间分别将第一资料及第三资料写入至该第一及该第三非挥发性记忆体单元。在该写入操作之一第二间隔期间将第二资料写入至该第二非挥发性记忆体单元。 |
