多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构；增强栅极的电子发射控制作用，有效的增大碳纳米管阴极的发射面积，改善栅极的控制效率，进一步提高发光亮度，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

主权项

1、一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[1]、阳极玻璃面板[12]和四周玻璃围框[17]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[13]以及制备在阳极导电层上的荧光粉层[15]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[16]以及消气剂附属元件[18]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有控制栅极[6]、碳纳米管[11]阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构；所述的多圆环状阴极阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成栅极引线层[2]；阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成阻塞层[3]；刻蚀后的阻塞层要暴露出底部的栅极引线层；阻塞层上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[4]；阴极引线层和栅极引线层是互不连通的，且栅极引线层和阴极引线层呈相互垂直排列；阻塞层上的刻蚀后的二氧化硅层形成隔离层[5]；刻蚀后的隔离层的中间为圆型孔，需要暴露出底部的阻塞层，阴极引线层和栅极引线层；栅极引线层上的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成栅极导电层[6]；栅极导电层的底部和栅极引线层相接触，且呈现一个“T”型形状，但“T”型形状的左下部和右下部分都呈现四分之一椭圆状；栅极导电层表面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层[7]，将栅极导电层和栅极引线层全部覆盖起来；阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层分为两部分，即外侧阴极导电层[9]和内侧阴极导电层[8]；内侧阴极导电层呈现一个三角圆环状结构，即纵向剖面为一个三角形状，而横向剖面则呈现一个圆环状结构，环绕在栅极导电层的周围；内侧阴极导电层的上部尖端部分的高度要低于“T”型栅极导电层的横向部分高度；内侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触；外侧阴极导电层的形状和内侧阴极导电层的形状相同，只不过外侧阴极导电层的圆环状结构直径比内侧阴极导电层圆环状直径大；外侧阴极导电层位于内侧阴极导电层的外围；外侧阴极导电层的底部和阴极引线层相接触，其顶部尖端部分的高度和“T”型栅极导电层的横向部分高度相同；内侧阴极导电层和外侧阴极导电层的顶部尖端部分的刻蚀后的金属层形成催化剂层[10]；利用催化剂层进行碳纳米管[11]的制备。