| 发明名称 | 具有高击穿电压晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括具有半导体层(4)的高击穿电压晶体管(3)。该半导体层(4)具有元件部分(8)和布线部分(9)。元件部分(8)具有在半导体层(4)的正面上的第一布线(18)和在半导体层(4)的背面上的背面电极(19)。元件部分(8)构成为垂直晶体管，使电流在半导体层(4)的厚度方向上在第一布线(18)和背面电极(19)之间流动。背面电极(19)延伸到布线部分(9)。布线部分(9)具有在半导体层(4)的正面上的第二布线(23)。提供布线部分(9)和背面电极(19)作为允许电流流到第二布线(23)的拉线。 | ||
| 申请公布号 | CN101431102A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810170454.8 | 申请日期 | 2008.11.06 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 山田明;赤木望 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈松涛 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：高击穿电压晶体管(3)，其包括预定导电类型的半导体层(4)，该半导体层(4)具有彼此相反的正面和背面，该半导体层(4)包括通过沟槽彼此电隔离的元件部分(8)和布线部分(9)，其中该元件部分(8)具有在该半导体层(4)的正面上的第一布线部件(18)和在该半导体层(4)的背面上的背面电极(19)，该元件部分(8)构成为垂直晶体管，其使得电流在该半导体层(4)的厚度方向上在该第一布线部件(18)和该背面电极(19)之间流动，其中该背面电极(19)从该元件部分(8)延伸到该布线部分(9)，并且其中该布线部分(9)具有在该半导体层(4)的正面上的第二布线部件(23)和在该半导体层(4)的背面上的该背面电极(19)，该布线部分(9)构成为允许电流在该背面电极(19)和该第二布线部件(23)之间流动的拉线。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||