发明名称 半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置
摘要 本发明提供半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置。使发光元件中产生的热高效率地散热,抑制温度上升,即使流过大电流也能防止亮度特性变差而得到高亮度。本发明的半导体发光组件(101)包括:进行散热并作为电极的散热块(102)、覆盖散热块(102)并进行绝缘的绝缘膜(103)、隔着绝缘膜(103)层叠并作为另一方电极的配电膜(104)。实际通电后发光的半导体元件(111)直接与散热块(102)电连接,且另一方端子通过导电性线(112)与配电膜(104)相连接。
申请公布号 CN101432899A 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200780015513.8 申请日期 2007.04.27
申请人 岛根县;株式会社岛根电子今福制作所 发明人 小松原聪;上野敏之;福田健一;古田亨
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇;张会华
主权项 1. 一种半导体发光组件,其特征在于,该半导体发光组件包括:半导体发光元件;散热块,将各上述半导体发光元件与该散热块的表面相接触地配置各上述半导体发光元件,且该散热块作为用于向该各半导体发光元件供给电力的电极中的一方电极;绝缘膜,其覆盖上述散热块表面的、除了上述各半导体发光元件及其附近之外的任意部分;配电膜,其与上述绝缘膜的任意表面相接触地配置,且与上述各半导体发光元件电连接,作为用于供给上述电力的电极中的另一方电极。
地址 日本岛根县