发明名称 | 一种钼酸钴纳米棒光栅材料的制备方法 | ||
摘要 | 本发明属于无机微/纳米材料制备技术领域,具体涉及一种温度调控制备钼酸钴微纳米晶体的方法。具体步骤为:以硝酸钴和钼酸钠为前驱体,以去离子水为溶剂,按比例置于反应容器中,钼和钴的摩尔比1∶1。将装有混合料的水热反应釜置于箱式电阻炉中加热到50-100℃,并在该温度下加热1-6h,取出容器,自然冷却至室温;洗涤,离心分离,即得所需产品。本发明工艺简单,整个制备体系容易构建,操作简便,条件易控,成本低廉,产物形貌、尺寸易控,纯度高,结晶度好且产物处理方便简洁,适合于大规模工业生产。 | ||
申请公布号 | CN101423260A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
申请号 | CN200810203048.7 | 申请日期 | 2008.11.20 |
申请人 | 同济大学 | 发明人 | 吴庆生;赵晶;陈义军 |
分类号 | C01G51/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G51/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 张 磊 |
主权项 | 1、一种温度调控制备钼酸钴微纳米晶体的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)以硝酸钴和钼酸钠为前驱体,以去离子水为溶剂,按比例置于反应容器中,硝酸钴和钼酸钠的摩尔比1∶1;(2)将步骤(1)中装有混合溶液的反应容器置于箱式电阻炉中加热到50-100℃内,并在该温度下加热1-6h,取出容器,自然冷却至室温;(3)洗涤,离心分离,即得所需产品。 | ||
地址 | 200092上海市四平路1239号 |