发明名称 |
用以避免NMOS组件承受过高电压的保护电路 |
摘要 |
本发明提供一种针对NMOS组件的保护电路,其中包含一串联NMOS晶体管和一调整电路。该串联NMOS晶体管串接于该NMOS组件与一外部电压源之间。该调整电路耦接至该外部电压源、一第一内部电压源,以及该串联NMOS晶体管的一闸极,并用以根据该外部电压源和该第一内部电压源的电压,调整该串联NMOS晶体管的该闸极的电压,借此保护该NMOS组件免于承受因该外部电压源造成的一过高电压。 |
申请公布号 |
CN101425799A |
申请公布日期 |
2009.05.06 |
申请号 |
CN200710166739.X |
申请日期 |
2007.11.02 |
申请人 |
晨星半导体股份有限公司 |
发明人 |
叶俊文 |
分类号 |
H03K17/081(2006.01)I;H03K17/0812(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/081(2006.01)I |
代理机构 |
上海虹桥正瀚律师事务所 |
代理人 |
李佳铭 |
主权项 |
1、一种用以避免一NMOS组件承受过高电压的保护电路,其特征在于,包含:一串联NMOS晶体管,串接于所述NMOS组件与一外部电压源之间;以及一调整电路,耦接至所述外部电压源、一第一内部电压源,以及所述串联NMOS晶体管的一闸极,用以根据所述外部电压源和所述第一内部电压源的电压,调整所述串联NMOS晶体管的所述闸极的电压,借此保护所述NMOS组件免于承受因所述外部电压源造成的一过高电压。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元街26号4楼之1 |