半导体装置之剥离液及剥离方法

摘要

本发明系关于由含有氢氧化第四级铵、氧化剂、烷醇胺、及硷金属氢氧化物之水溶液所成之半导体装置之剥离液、以及一种剥离方法，其特征为含有：调制该剥离液之剥离液调制步骤，及藉由该剥离液调制步骤所得之剥离液，将至少一种选自于由光阻、抗反射膜、及蚀刻残渣所构成群组之附着物去除之剥离步骤。