半导体隔离结构的形成方法

摘要

本发明揭示一种半导体隔离结构的形成方法，包含提供一基板；形成一图案化牺牲层于该基板上；以该图案化牺牲层作为遮蔽蚀刻该基板以形成一沟渠；形成一衬底氧化层共形地覆盖该沟渠；以一化学试剂处理该基板；以一介电层填充该沟渠，以形成该半导体隔离结构；及蚀刻该介电层以使该介电层之顶表面低于该图案化牺牲层之顶表面。