High-Electron-Mobility-Transistorhalbleiterbauelement mit feldabschwächender Platte und Fabrikationsverfahren zu dessen Herstellung

摘要

Ein Halbleiterbauelement (200) enthält ein zwischen Drain- und Sourcegebiet (225, 230) und über einer Barrierenschicht (220) angeordnetes T-Gate (235) zum Ausbilden eines Schottky-Kontakts zu der Kanalschicht (215). Eine erste inaktive feldabschwächende Platte (245) ist über einem Abschnitt des T-Gate (235) angeordnet, und eine zweite aktive Feldplatte (250) ist über der Barrierenschicht (220) und in einer Nähe des T-Gate (235) angeordnet.