施主晶片以及重复利用晶片的方法和剥离有用层的方法

摘要

在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片(10)的一种方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和多层结构(I)，所述多层结构(I)在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，所述多层结构的至少一部分(I′)仍保留，所述缓冲结构的至少一部分(I′)包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：根据本发明从至少一片可重复利用的施主晶片(10)剥离薄层的方法，根据本发明可重复利用的施主晶片(10)。

主权项

1. 一种在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后对施主晶片(10)的重复利用方法，所述施主晶片(10)依次包含衬底(1)和多层结构(I)，多层结构(I)在剥离之前包含待剥离的有用层，所述方法包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，多层结构的至少一部分(I′)仍保留，所述多层结构的至少一部分(I′)包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。