发明名称 用于高电压超结终端的工艺
摘要 本发明公开了一种制造具有有源区和终端区的半导体器件的方法,其包括:提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底。该半导体衬底具有有源区和围绕该有源区的终端区。将第一主表面氧化。在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面。以电介质材料填充终端区中的该第一多个沟槽。在终端区中的第二多个沟槽。以电介质材料填充该第二多个沟槽。
申请公布号 CN101421836A 申请公布日期 2009.04.29
申请号 CN200580048259.2 申请日期 2005.12.27
申请人 三维半导体公司 发明人 石甫渊;布赖恩·D·普拉特
分类号 H01L21/76(2006.01)I 主分类号 H01L21/76(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 梁晓广;陆锦华
主权项 1. 一种制造具有有源区和围绕该有源区的终端区的半导体器件的方法,该方法包括:提供具有彼此相反的第一和第二主表面的半导体衬底,该半导体衬底在第二主表面上具有第一导电类型的重掺杂区,而在第一主表面上具有第一导电类型的轻掺杂区;在终端区中形成第一多个沟槽和第一多个台面,该第一多个沟槽的每一沟槽从第一主表面向该重掺杂区域延伸至第一深度位置;以电介质材料填充在有源区外部且与有源区相邻的终端区中的该第一多个沟槽;在终端区中形成第二多个沟槽,该第二多个沟槽的每一沟槽从第一主表面向重掺杂区域延伸至第二深度位置;以及以电介质材料填充该第二多个沟槽。
地址 美国亚利桑那州