| 发明名称 | 一种等离子刻蚀残留物清洗剂 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗剂，其含有氟化物和水，还含有溶剂N-羟乙基吡咯烷酮。本发明的清洗剂对等离子刻蚀残留物具有高效的清洗能力，对低介质材料(如SiO<sub>2</sub>和PETEOS)和金属材料(如Ti、Al和Cu)等晶片基材有较低的蚀刻速率，低缺陷水平，且操作窗口宽，安全环保，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101412948A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200710047265.7 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修 |
| 分类号 | C11D7/32(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1. 一种等离子刻蚀残留物清洗剂，含有氟化物和水，其特征在于：其还含有溶剂N-羟乙基吡咯烷酮。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||