发明名称 曝光装置
摘要 本发明提供一种曝光装置,即使是具有由有机材料构成的印刷布线基板所特有的不均匀而且较大变形的基板,也能够实现最佳定位。全体变倍单元(2)在xy方向上以相同倍率即倍率Sw放大缩小光掩膜(7)的图案,单变倍单元(1)与全体变倍单元(2)独立地在任意一个方向ω上以预定倍率So使光掩膜图案伸缩,调准示波器(4)检测掩膜标记(70)与基板标记(80)的位置偏差αi、βi。位置偏差信号αi、βi被发送给运算控制装置(3),计算调准所需要的参数即单变倍倍率So、单变倍方向ω,再计算全体变倍倍率Sw、基板的旋转量θ、基板平移量Ox、Oy,并据此控制单变倍单元(1)、全体变倍单元(2)、曝光载物台(6),进行调准。
申请公布号 CN101414130A 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200810166559.6 申请日期 2008.10.17
申请人 株式会社阿迪泰克工程 发明人 田中巧;坂井智行;比企达也
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1. 一种在印刷布线基板上曝光预定图案的投影曝光装置,其特征在于,具有:描绘了预定图案的光掩膜;投影曝光单元,其将所述光掩膜的图案投影曝光到所述印刷布线基板上;描绘在所述光掩膜上的定位用的掩膜标记;设置在所述印刷布线基板上的定位用的基板标记;光学系统,其位于所述光掩膜和印刷布线基板之间,在以光轴中心为原点的xy坐标系中,在任意一个方向上以任意倍率来校正所述图案;检测所述掩膜标记与基板标记的偏差的检测单元;根据该检测出的偏差,决定所述任意一个方向即单变倍方向ω和所述任意倍率即单变倍倍率So的决定单元;和根据该决定单元的决定,设定该单变倍方向ω和单变倍倍率So的设定单元,所述决定单元设定包含所述So和ω作为系数的、所述印刷布线基板的变形模型函数,根据该函数利用最小平方法求出所述So和ω。
地址 日本东京