发明名称 可变增益放大器
摘要 本发明提供了一种不管放大增益的改变都具有稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数的可变增益放大器(VGA)。在VGA的实施例中,共阴共栅放大器放大单元的第一级不管放大增益的改变而具有固定的阻抗,包括多个晶体管的可变增益确定单元在共阴共栅放大器放大单元中的上一级形成。因此,由于放大增益的变化导致的共阴共栅放大器放大单元的输入阻抗的变化被最小化。在VGA的另一实施例中,通过控制由电流源输入的电流调整施加到放大单元的电压,来控制放大单元的放大增益,并且可获得稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数。
申请公布号 CN100481713C 申请公布日期 2009.04.22
申请号 CN200510103335.7 申请日期 2005.09.16
申请人 三星电子株式会社 发明人 柳载永;姜贤求;金大渊;李政浩
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F1/00(2006.01)I;H03G3/20(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人 郭鸿禧;李云霞
主权项 1、一种可改变放大增益的可变增益放大器,所述可变增益放大器包括:共源极放大单元,将输入信号放大同时维持输入阻抗不变,其中,共源极放大单元包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管是共源极放大器,将被放大的信号通过所述NMOS晶体管的栅极被接收,并且所述NMOS晶体管的源极接地;可变增益确定单元,其以共阴共栅放大器的方式连接到共源极放大单元,并且将由共源极放大单元输出的信号放大,其中,可变增益确定单元包括多个晶体管,所述晶体管通过连接到所述晶体管栅极的开关被导通/截止,以改变放大增益,其中,可变增益确定单元的晶体管是NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的源极共同连接到共源极放大单元的漏极,放大的信号通过所述NMOS晶体管的漏极输出。
地址 韩国京畿道