| 发明名称 | 非易失性存储装置 | ||
| 摘要 | 提供一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置可包括至少一串、与所述至少一串相应至少一条位线和/或感测晶体管。所述至少一串可包括串联的多个存储单元晶体管。感测晶体管可包括被配置为感测相应位线的电压的栅极。感测晶体管的阈值电压可高于通过从被施加以读取所述相应位线的电压减去给定电压所获得的电压，其中，所述相应位线被连接到所述多个存储单元晶体管中将被读取的存储单元晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101414484A | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200810213020.1 | 申请日期 | 2008.08.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 成政宪;朴珠姬 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储装置，包括：至少一串，包括串联的多个存储单元晶体管；至少一条位线，与所述至少一串相应；感测晶体管，包括被配置以感测相应位线的电压的栅极，其中，如果所述相应位线被读取，则感测晶体管的阈值电压高于所述相应位线的饱和电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||