发明名称 可提供多类电源电压之电源供应装置
摘要
申请公布号 TWM355416 申请公布日期 2009.04.21
申请号 TW097219508 申请日期 2008.10.31
申请人 大名电子股份有限公司 台北县中和市建一路176号16楼之1 发明人 周胜千
分类号 G06F1/26 (2006.01) 主分类号 G06F1/26 (2006.01)
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种可提供多类电源电压之电源供应装置,以供应至少一电子装置之电源,包括:一调变器,系藉由一输入电压讯号与一第二启动电压讯号驱动,且接收一第一启动电压讯号,并产生至少一脉冲宽度讯号;一输出开关组,系与该调变器电性连接,且接收该输入电压讯号与该脉冲宽度讯号,并产生至少一第一电压讯号;至少一滤波器,系与该输出开关组电性连接,且接收该输出开关组所输出之该第一电压讯号,并滤波该第一电压讯号,输出一第一电源电压;一负电荷储存器,系与该输出开关组电性连接,且接收该输出开关组所输出之该第一电压讯号,并将该第一电压讯号储存为一反向脉动电压;一负电压输出整流器,系与该负电荷储存器电性连接,且整流该反向脉动电压,输出一负电源电压;至少一第一电晶体开关,系与该滤波器电性连接,且接收该滤波器所输出之该第一电源电压,并控制该第一电源电压输出成为一第二电源电压;以及至少一第一驱动延缓器,系以负回授方式与该第一电晶体开关电性连接,且藉由该输入电压讯号与该第二启动电压讯号的驱动,控制该第一电晶体开关导通状态,进而控制输出之该第二电源电压的上升斜率。2.如申请专利范围第1项所述之电源供应装置,其中该电晶体开关系为金属氧化层半导体场效电晶体(MOSFET)、双载子接面电晶体(BJT)或绝缘栅双极电晶体(IGBT)。3.如申请专利范围第1项所述之电源供应装置,其中该调变器系将产生一调变确认讯号。4.如申请专利范围第3项所述之电源供应装置,更包括一讯号转换器,系与该调变器电性连接,且藉由该输入电压讯号与该第二启动电压讯号驱动,并接收该调变确认讯号,产生一电源确认讯号。5.如申请专利范围第1项所述之电源供应装置,更包括一第二电晶体开关,系接收该输入电压讯号,并控制该输入电压讯号输出成为一第三电源电压。6.如申请专利范围第5项所述之电源供应装置,更包括一第二驱动延缓器,系以负回授方式与该第二电晶体开关电性连接,且藉由该输入电压讯号与该第二启动电压讯号的驱动,并控制该第二电晶体开关导通状态,进而控制输出之该第三电源电压的上升斜率。7.如申请专利范围第1项所述之电源供应装置,更包括至少一正电压产生器,系与该输出开关组电性连接,且接收该第一电压讯号与该输入电压讯号,产生一正倍电压,并藉由该正倍电压以驱动该第一驱动延缓器与第二驱动延缓器。8.如申请专利范围第1项所述之电源供应装置,其中该调变器系将持续接收该第一启动电压讯号。9.如申请专利范围第1项所述的电源供应装置,其中该电子装置系为个人电脑、迷你电脑、工业电脑、汽车电脑、收银机、保全系统、工业控制系统或车用控制系统。图式简单说明:第一图为习知之电源供应装置的电路架构示意图。第二图为本创作之架构示意图。第三图为本创作之电路架构第一实施例示意图。第四图为本创作之电路架构第二实施例示意图。
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