| 发明名称 | 沟槽型MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，旨在降低栅极和漏极间的电容，提高晶体管的开关速率。该方法包括以下步骤：通过干法刻蚀形成沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，再进行一层栅极氧化膜的生长；在沟槽内进行栅极多晶硅的生长及回刻。 | ||
| 申请公布号 | CN100474537C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200610030348.0 | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张朝阳;姜宁;李建文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：(1)通过干法刻蚀形成沟槽；(2)在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；(3)在所述沟槽的底部和侧壁的位置再进行一层栅极氧化膜的生长；(4)在沟槽内进行栅极多晶硅的生长及回刻；其特征在于，在所述步骤(2)和步骤(3)之间还包括以下步骤：在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||