| 发明名称 | 使用大气压氢等离子体的膜制造方法、精制膜制造方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高速、均质、低成本地制作多晶Si薄膜等的制造方法及其装置。其中，对一电极进行水冷且安装Si靶，对另一电极进行加温且安装任意基板，当两者之间产生大气压氢等离子体时，能够使低温侧靶放出的Si原子堆积在高温侧基板上。此时，如果靶中包含掺杂元素，则可以制作掺杂Si薄膜。因为不需要对SiH<sub>4</sub>、B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>、PH<sub>3</sub>等高价、有害的气体进行处理，所以可以降低设备及其运转成本。另外，通过应用本发明的膜制造方法，能够从含有多种物质的靶中仅对目的物质进行纯化。 | ||
| 申请公布号 | CN101401190A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200680049202.9 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 大参宏昌;安武洁;垣内弘章 |
| 分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种膜制造方法，在填充有以压力10～202kPa(76～1520Torr)的氢为主体的反应气体的反应室内，将保持较高温度的基板和保持较低温度的且其氢化物为挥发性的靶以平行方式配置，使基板和靶之间发生放电，从而在基板上形成靶的薄膜。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||