成膜方法及半导体制程用装置

摘要

藉由在一制程场中实行复数个循环而在一目标基板上形成一氮化矽膜，该制程场经组态以选择性供应有包含一矽烷族气体之一第一制程气体以及包含一氮化气体之一第二制程气体。该等循环之各者包括实行该第一制程气体之供应同时保持该第二制程气体之供应为一关闭状态之一第一供应步骤，以及实行该第二制程气体之供应，同时保持该第一制程气体之供应为一关闭状态之一第二供应步骤。该方法系配置成重复一第一循环组，其中该第二供应步骤包括激发该第二制程气体之一激发期间，以及一第二循环组，其中该第二供应步骤不包括激发该第二制程气体之期间。