含有碳或氮掺杂二极体之非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体装置，其包括：至少一非挥发性记忆体单元，该至少一非挥发性记忆体单元包括一个矽、锗或矽-锗二极体，该二极体掺杂有碳或氮之至少一者且掺杂浓度大于一无法避免之杂质位准浓度。