发明名称 间隔微影蚀刻
摘要 本发明系使用间隔微影蚀刻技术以在目标层准确且有效地形成超细微尺寸,其包含形成第一遮罩图案,在该第一遮罩图案上形成可交联层,在该第一遮罩图案和该可交联层之间形成交联间隔件,移除该可交联层、来自该第一遮罩图案的上表面的该交联间隔件以及该第一遮罩图案以形成包括该交联间隔件之剩余部分的第二遮罩图案,以及使用该第二遮罩图案蚀刻以在下面的该目标层中形成超细微图案。实施例包含从能够产生酸的光阻材料中形成该第一遮罩图案,将包含有可在酸存在时进行交联反应的材料之可交联材料沉积,以及在移除该第一遮罩图案的剩余部分和剩余的未交联层之前,从该第一遮罩图案的上表面移除部分的该未交联层和该交联间隔件。
申请公布号 TW200915389 申请公布日期 2009.04.01
申请号 TW097125658 申请日期 2008.07.08
申请人 高级微装置公司 发明人 金扬汉;邓玉芬;华洛 汤马士I;芳坦妮 布鲁诺 拉
分类号 H01L21/027(2006.01);H01L21/308(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国