| 摘要 |
本发明系揭露一种提供磁性记忆体的方法与系统。该方法与系统包含复数个磁性储存单元(magnetic storage cell)、复数条位元线(bit line)、至少一条参考线(reference line)与至少一个感应放大器(sense amplifier)。每一个磁性储存单元都包含一个或多个磁性元件(magnetic element)与一个或多个选择装置(selection device)。该磁性元件可藉由流经该磁性元件的写入电流(write current)来程式化(programmable)。该位元线(bit line)与资料线(source line)系对应于该磁性储存单元。该感应放大器耦接于该位元线及该参考线并包含逻辑电路(logic)与复数个级(stages)。该复数个级包含第一级与第二级。该第一级将至少一个电流信号转换为至少一个差动电压(differential voltage)信号。该第二级则放大该至少一个差动电压信号。当不作读取操作(read operation)时该逻辑电路选择性地停用(disable)第一级与第二级中的至少其中一个，而在读取操作过程中该逻辑电路则选择性地致能(enable)第一级与第二级。 |
